[发明专利]单片式n-i-p-i-n型宽光谱光电探测器

摘要

本发明提出了一种单片式n‑i‑p‑i‑n型宽光谱光电探测器，包括InP衬底；在InP衬底上形成有第一导电类型的InP作为下接触层；在下接触层之上形成有本征Inx1Ga1‑x1As作为第一吸收层；在第一吸收层之上形成有第二导电类型的InP作为公共接触层；在公共接触层之上形成有晶格适配缓冲层；在晶格适配缓冲层之上形成有本征或者第一导电类的Inx2Ga1‑x2As作为第二吸收层；在第二吸收层之上形成第一导电类型的Inx3Al1‑x3As上接触层。本发明采用双色探测器设计方案，将标准波长响应PIN探测器与延伸波长响应PIN探测器相结合，利用PD1响应1.7μm以下谱段，利用PD2响应1.7‑2.5μm谱段。PD1与PD2共用P电极，形成背入射式的n‑i‑p‑i‑n型器件结构，通过电极偏置的切换实现响应光谱的调制。

主权项

1.一种单片式n‑i‑p‑i‑n型宽光谱光电探测器，其特征在于，包括：InP衬底；在所述InP衬底上形成有第一导电类型的InP作为第一吸收层结构的下接触层；在所述第一吸收层结构的下接触层之上形成有本征Inx1Ga1‑x1As作为第一吸收层，所述0x1；在所述第二吸收层之上形成第一导电类型的Inx3Al1‑x3As上接触层，所述0

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