[发明专利]一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法及注入掩膜结构在审
| 申请号： | 201810618044.9 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807157A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 蔺增金;孙茂友;周丽哲;朱继红 | 申请（专利权）人： | 江苏矽导集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体器件生产领域内的一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法，包括如下步骤：在SiC外延片表面形成一层离子注入牺牲层SiO2；在牺牲层SiO2表面涂覆光刻胶；光刻、显影、曝光、高温碳化后形成离子注入阻挡层；借助上述图案化阻挡层，对上述SiC外延片进行离子注入；高温退火激活注入杂质，本发明采用固化后的光刻胶作为离子注入的阻挡层，简化了工艺，并且采用SiO2介质层作为注入牺牲层来减小离子注入对SiC材料表面的损伤，可用于半导体器件生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 牺牲层 低损伤 碳化硅 半导体器件生产 图案化阻挡层 半导体器件 表面涂覆光 外延片表面 注入阻挡层 高温碳化 高温退火 注入掩膜 光刻胶 介质层 外延片 阻挡层 光刻 减小 可用 显影 固化 损伤 激活 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅的低损伤离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：在SiC外延片表面形成一层离子注入牺牲层SiO2；在牺牲层SiO2表面涂覆光刻胶；光刻、显影、曝光、高温碳化后形成离子注入阻挡层；借助上述图案化阻挡层，对上述SiC外延片进行离子注入；高温退火激活注入杂质；高温氧化去除碳层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏矽导集成科技有限公司，未经江苏矽导集成科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810618044.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：离子注入的方法及半导体结构的形成方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
