[发明专利]晶闸管的检测方法有效

专利信息
申请号: 201810613800.9 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN109061428B 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 杨霖;洪少林;杨志凌;侯孝刚;吴忠良;钟泓;黄伟梁;薛运林 申请(专利权)人: 优利德科技(中国)股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 东莞市兴邦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44389 代理人: 梁首强
地址: 523808 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种晶闸管的检测方法,包括:向第一模拟开关(S1)输出高电平,控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平,并向第二模拟开关(S2)输出高电平,控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平;读取所述晶闸管的导通电压值ADP,当所述ADP>2V时,开启反向导通;当0.1V
搜索关键词: 晶闸管 高电平 检测 输出 模拟开关 读取 导通电压 导通性能 反向导通 正向导通 控制极 主电极 短路
【主权项】:
1.一种晶闸管的检测方法,其特征在于,包括:向第一模拟开关(S1)输出高电平,控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平,并向第二模拟开关(S2)输出高电平,控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平;读取所述晶闸管的导通电压值ADP,当所述ADP>2V时,开启反向导通;当0.1V<ADP<2V时,所述晶闸管正向导通;当ADP<0.1V时,所述晶闸管损坏或短路;所述第一模拟开关(S1)以及第二模拟开关(S2)均为单刀双掷开关,其两个静触点分别连接高电平以及低电平,所述第二模拟开关的静触点连接被测晶闸管的第二主电极(T2),所述晶闸管的第一主电极(T1)接地;其中,开启反向导通包括:向第一模拟开关(S1)输出低电平,控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平,并向第二模拟开关(S2)输出低电平,控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平;读取所述晶闸管的导通电压值ADP,当所述ADP<‑2V时,所述晶闸管开路或未连接;当‑0.4V<ADP<‑0.1V时,所述晶闸管反向导通,当ADP>‑0.1V时,所述晶闸管损坏或短路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优利德科技(中国)股份有限公司,未经优利德科技(中国)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810613800.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top