[发明专利]硅基纳米结构光伏材料的制备方法

摘要

硅基纳米结构光伏材料的制备方法，它涉及光伏材料技术领域。它包含如下步骤：依据实际需求裁剪一定规格的硅片，对硅片裁剪处进行抛光处理，抛光后将其放入事先调制好的溶液中浸泡3H‑4.5H，在浸泡期间每隔20Min搅拌一次；将浸泡后的硅片取出，放置在高温炉中用于去除杂质，炉内温度调整范围为650摄氏度‑750摄氏度，时长为0.3H‑0.5H，之后用惰性气体将其冷却至常温；在硅片的背面用化学沉淀法。采用上述技术方案后，本发明有益效果为：工艺便捷，使用价值高，原料简单，生产成本较低，有利于大规模生产，能有效制备出规格的硅基纳米结构光伏材料，具有良好的光学和电学性质，具有良好接触电性，能提高载流子的输运能力，能实现光伏材料转换效率。

主权项

1.硅基纳米结构光伏材料的制备方法，其特征在于它包含如下步骤：步骤一、依据实际需求裁剪一定规格的硅片，对硅片裁剪处进行抛光处理，抛光后将其放入事先调制好的溶液中浸泡3H‑4.5H，在浸泡期间每隔20Min搅拌一次；步骤二、将浸泡后的硅片取出，放置在高温炉中用于去除杂质，炉内温度调整范围为650摄氏度‑750摄氏度，时长为0.3H‑0.5H，之后用惰性气体将其冷却至常温；步骤三、在硅片的背面用化学沉淀法，沉淀一层氧化硅薄膜，氧化硅薄膜的厚度为100nm～300nm；步骤四、在硅片的正面镀上一层金属薄膜层，金属薄膜层厚度为200nm～400mm；步骤五、用强腐蚀剂处理硅片正表面四周，去除由步骤四产生的表面损伤；步骤六、用离子束刻蚀金属薄膜层，刻蚀出所需要的电极图形，刻蚀深度为150nm～170mm；步骤七、将硅片放置在碱性溶液中温煮，温煮温度为120摄氏度‑200摄氏度，温煮时长为2H‑3.5H，用于去除步骤六产生的损伤；步骤八、再次用惰性气体对温煮后的硅片进行吹干；步骤九、依循电极图形，在其中灌入金属液，并迅速制冷，制冷温度为‑30摄氏度‑‑50摄氏度，完成硅基纳米结构光伏材料的制备。