[发明专利]一种SONOS存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810604571.4 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN108766970A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 章晶;唐小亮;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SONOS存储器及其制备方法，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上由下至上依次形成隧穿氧化层薄膜和氮化硅层薄膜；通过离子注入工艺在所述氮化硅层薄膜中掺杂入锗离子，以在所述氮化硅薄膜中形成一氮化锗薄层，形成所述氮化硅和所述氮化锗的复合电荷存储层薄膜；在所述复合电荷存储层薄膜上依次形成顶层氧化层薄膜和栅极薄膜；以及刻蚀所述栅极薄膜、所述顶层氧化层薄膜、所述复合电荷存储层薄膜以及所述隧穿氧化层薄膜，形成SONOS存储器。本发明采用氮化锗和氮化硅的电荷存储层作为SONOS存储器中的电荷存储层，有利于提高电荷俘获和存储的能力，进而提高SONOS存储器的数据保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电荷存储层 氮化锗 顶层氧化层 隧穿氧化层 氮化硅层 栅极薄膜 氮化硅 复合 衬底 制备 半导体 离子注入工艺 数据保持能力 氮化硅薄膜 电荷俘获 锗离子 薄层 刻蚀 掺杂 存储 | ||
【主权项】：
1.一种SONOS存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上由下至上依次形成隧穿氧化层薄膜和氮化硅层薄膜；通过离子注入工艺在所述氮化硅层薄膜中掺杂入锗离子，以在所述氮化硅薄膜中形成一氮化锗薄层，形成所述氮化硅和所述氮化锗的复合电荷存储层薄膜；在所述复合电荷存储层薄膜上依次形成顶层氧化层薄膜和栅极薄膜；以及刻蚀所述栅极薄膜、所述顶层氧化层薄膜、所述复合电荷存储层薄膜以及所述隧穿氧化层薄膜，形成SONOS存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
