[发明专利]一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法有效
| 申请号： | 201810601870.2 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108588661B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴志明;张帆;姬春晖;向梓豪;杨仁辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/02 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 蒋秀清;李春芳 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法，涉及电子材料领域，所述方法采用磁控溅射技术，以金属钒为靶材，以Al |
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| 搜索关键词： | 一种 采用 低价 种子 优化 氧化 薄膜 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法，其特征在于，所述方法采用磁控溅射技术，以金属钒为靶材，以Al2O3为基底，在有氧环境下分两次溅射，第一次溅射氧浓度低于第二次溅射，两次溅射前后得到低价钒种子层和氧化钒薄膜，最后通过退火即得到采用低价钒种子层优化的氧化钒薄膜。
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