[发明专利]一种基于CMOS的指数波形电流产生电路有效
| 申请号： | 201810597747.8 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108563277B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘旭;吴祖亚;王文思;侯立刚 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS的指数波形电流产生电路，通过对一组PMOS(P型金属氧化物半导体)或NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管的栅极施加特定的电压，使晶体管工作在饱和区，从而令这组晶体管的漏极输出电流之和随时间呈现出近似指数变化的波形。使用这种方法得到的指数波形电流产生电路与传统的基于单个工作在亚阈值状态下的晶体管的指数波形电流产生电路相比，具有更强的驱动能力，并且产生更精确的指数波形输出电流。指数波形的时间常数可由电路中的电容、栅极预设电压、与栅极连接的电流源的大小数值、以及晶体管阈值电压来确定。这种指数波形电流产生电路成本低，精度高，驱动能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 指数 波形 电流 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS的指数波形电流产生电路，其特征在于，包括恒流源(100)、预充电容(101)、第二输出晶体管(102)、第一输出晶体管(103)和预设电压电路(105),预设电压电路(105)的输出端分别与预充电容(101)的上级板和一个MOS晶体管电容(104)的上极板相连；其中，第一输出晶体管(103)的漏极与第二输出晶体管(102)的漏极相连，第一输出晶体管(103)和第二输出晶体管(102)的漏极合并产生总输出电流，第一输出晶体管(103)的栅极与一个MOS晶体管电容(104)的上极板，即MOS晶体管电容(104)的栅极相连，MOS晶体管电容(104)的下极板，即MOS晶体管电容(104)的漏极、源极、衬底均接地；第一输出晶体管(103)的源极接地；第二输出晶体管(102)的栅极、预充电容(101)的上极板和恒流源(100)的阴极相连；第二输出晶体管(102)的源极、预充电容(101)的下极板、和恒流源(100)的阳极接地。
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