[发明专利]一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810597724.7 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108574042A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 顾文彬;陶永斌;蒋乐跃;金羊华;刘海东 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G01R33/12 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 朱亦倩 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 磁阻传感器 磁性感应 介质层 集成电路 钝化层 互连金属层 薄膜图形 感应磁阻 金属连线 单芯片 传感器 单轴 多轴 晶圆 薄膜 薄膜覆盖 接触电阻 图形连接 下层 斜坡 制造 保留 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法，其特征在于，其包括：提供形成有集成电路的晶圆，所述晶圆的上表面形成有钝化层；在所述钝化层上刻蚀出与磁阻传感器连接的第一通孔，以露出所述集成电路的金属连线；在刻蚀有第一通孔的钝化层的上表面沉积介质层；对所述介质层进行光刻、蚀刻，以在所述介质层上形成具有预定倾斜角度的斜坡；对所述第一通孔上方的介质层进行蚀刻，以形成贯穿该介质层的第二通孔，并在第二通孔中露出下层的所述集成电路的金属连线；对形成有第二通孔的介质层的表面进行清洗；在所述上沉积磁性感应薄膜，并对所述磁性感应薄膜进行光刻和刻蚀，并保留第二通孔内的磁性感应薄膜和形成所述磁阻传感器所需的感应磁阻图形，其中第二通孔内的所述磁性感应薄膜覆盖所述集成电路的金属连线接触。
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