[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810596906.2 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN109427871A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 梁正吉;朴雨锡;徐东灿;宋昇珉;裵金钟;裵东一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含衬底；堆叠在衬底上的多个沟道层；围绕多个沟道层的栅极电极；以及在栅极电极的相对侧上的嵌入式源极/漏极层。嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域及在第一区域上的第二区域。第二区域具有具备不同成分的多个层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 嵌入式源极 第二区域 第一区域 栅极电极 沟道层 漏极层 衬底 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底；多个沟道层，堆叠在所述衬底上；栅极电极，围绕所述多个沟道层；以及嵌入式源极/漏极层，在所述栅极电极的相对侧上，所述嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域以及在所述第一区域上的第二区域，所述第二区域包括具有不同成分的多个层。
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