[发明专利]一种软磁复合材料的热变形界面扩散制备方法

摘要

本发明提供一种软磁复合材料的热变形界面扩散制备方法：对Fe、Fe‑Si、Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Mo、Fe‑Si‑Al进行热压热变形制备，经热变形磁粉变为片状结构，所有片状磁性颗粒皆沿磁环平面平行有序排列；采用B2O3、V2O5、Bi2O3、Na2CO3、Mn2O3、Sb2O3、CuO和低熔点玻璃粉等低熔点化合物将磁环表面包覆，再采用真空退火工艺，使低熔点化合物经颗粒界面扩散至磁环内部，提高磁体电阻率，炉冷至室温，获得软磁复合材料。本发明的优点是：片状结构可有效降低损耗，提高磁导率，经热压热变形工艺可直接获得有序磁结构，通过真空退火在磁体内部界面处渗透扩散得到的绝缘层非常薄，磁体磁导率高。

主权项

1.一种软磁复合材料的热变形界面扩散制备方法，其特征在于具体步骤为：1）原材料准备所采用的软磁合金粉末为：Fe、Fe‑Si、Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Mo、Fe‑Si‑Al、非晶纳米晶合金；2）软磁合金粉末的钝化将钝化剂和软磁合金粉末混合，经搅拌、烘干，得到钝化粉；3）热压热变形制备取向磁体通过热压工艺获得毛坯，热压温度为400℃~800℃；通过热变形工艺对毛坯进行压力变形，压力方向垂直磁环平面，热变形温度为500℃~1000℃，热变形量（毛坯高度降低的相对量）为20%~90%；毛坯中的软磁合金在压力作用下发生塑性变形，由球状变为片状，片状颗粒平行于磁环平面（磁环工作磁路方向）；4）表面包覆、界面扩散采用低熔点化合物将磁环表面包覆，再采用真空退火工艺，使低熔点化合物经颗粒界面扩散至磁环内部，提高磁体电阻率，炉冷至室温，获得软磁复合材料；所述的低熔点化合物包括：B2O3、V2O5、Bi2O3、Na2CO3、Mn2O3、Sb2O3、CuO和低熔点玻璃粉；所述的真空退火温度为400~1000℃，退火时间为1~48h。