[发明专利]一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明公开了一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管。由下至上依次包括：漏极、P+衬底、N型缓冲层、N型量子点层、N‑基区、P+阱、P基区、N+接触区、栅极、栅介质层和源极。由于量子点(零维材料)相较于高维材料具有更大的禁带宽度，而量子点的禁带宽度又强烈地依赖于其尺寸，且量子点尺寸不一，会天然地形成势能波动，产生大量的载流子局域区域。当器件关断时，剩余载流子被局域在量子点层中，可有效减小绝缘栅双极型晶体管器件的拖尾电流和缓冲层厚度，进而可以减小器件的开关时间和导通压降。

主权项

1.一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：由下至上依次包括：漏极(101)、P+衬底(102)、N型缓冲层 (103)、N型量子点层(104)、N‑基区(105)、P+阱(106)、P基区(107)、N+接触区(108)、栅极(109)、栅介质层(110)和源极(111) ，所述N型缓冲层 (103)厚度为1‑20 μm，所述N型量子点层(104)厚度为10‑500 nm，所述N‑基区(105)厚度为1‑100 μm，所述P+阱(106)在P基区(107)正下方，所述栅介质层(110)内有栅极(109)，所述P基区(107)与栅介质层(110)和源极(111)相接触部分为N+接触区(108)。