[发明专利]易失性存储器装置及其自刷新方法有效
申请号: | 201810594198.9 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN109817256B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 中冈裕司 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/4074;G11C5/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种易失性存储器装置及其自刷新方法。易失性存储器装置具有动态存储器阵列。自刷新方法包括:当进入省电模式时,传送自刷新请求信号;根据自刷新请求信号,周期性地致能电压拉升信号;当检测到电压拉升信号致能时,将用于驱动自刷新动作的操作电压拉升至自刷新电平;当操作电压被拉升至自刷新电平后,对动态存储器阵列进行自刷新动作;当结束自刷新动作后,将操作电压进行浮接。本发明可通过使操作电压处于浮置状态,来达到在睡眠模式下降低自刷新功率消耗的效果。 | ||
搜索关键词: | 易失性 存储器 装置 及其 刷新 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自刷新方法,适用于具有动态存储器阵列的易失性存储器装置,其特征在于,包括:当进入省电模式时,传送自刷新请求信号;根据所述自刷新请求信号,周期性地致能电压拉升信号;当检测到所述电压拉升信号致能时,将用于驱动自刷新动作的操作电压拉升至自刷新电平;当所述操作电压被拉升至所述自刷新电平后,对所述动态存储器阵列进行所述自刷新动作;以及当结束所述自刷新动作后,将所述操作电压进行浮接。
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