[发明专利]具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810584916.4 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108807587B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 叶辉;种海宁;王哲玮;徐泽民;伍科 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/18;H01Q1/22;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 红外 光谱 信号 功能 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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