[发明专利]半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201810583106.7 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571138A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基底，在所述基底上依次形成目标层、牺牲层以及图形化的光刻胶层，采用含氮的气体对所述图形化的光刻胶层进行等离子体处理，以在所述图形化的光刻胶层表面形成保护层，对所述牺牲层与所述目标层进行刻蚀，形成目标层核心图形，所述保护层能够防止在对牺牲层进行刻蚀的过程中对图形化的光刻胶层造成的过刻蚀，从而将光刻胶层的图形精确的转移到所述牺牲层内，并最终精确的转移到目标层内，从而改善目标层核心图形的线宽粗糙度及线边缘粗糙度，提高目标层核心图形的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 目标层 光刻胶层 图形化 牺牲层 核心图形 保护层 基底 刻蚀 等离子体处理 线边缘粗糙度 半导体器件 线宽粗糙度 表面形成 过刻蚀 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基底，在所述基底上依次形成目标层、牺牲层以及图形化的光刻胶层；/n采用含氮的气体对所述图形化的光刻胶层进行等离子体处理，以在所述图形化的光刻胶层表面形成保护层；/n对所述牺牲层与所述目标层进行刻蚀，形成目标层核心图形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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