[发明专利]小型化W波段MEMS缝隙波导带通滤波器有效
| 申请号： | 201810580657.8 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108832242B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 施永荣;张君直;周明;王继财 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小型化W波段MEMS缝隙波导带通滤波器，包括顶层硅晶圆片和底层硅晶圆片，顶层硅晶圆片和/或底层硅晶圆片上用MEMS工艺刻蚀后电镀形成缝隙波导结构，缝隙波导结构内部形成级联耦合谐振腔，顶层硅晶圆片和/或底层硅晶圆片上还刻蚀有耦合窗。本发明基于MEMS缝隙波导理念设计出的滤波器具有小型化、轻量化、低插损、频偏小、适合大规模批量化生产的优点，弥补了缝隙波导带通滤波器在W波段的应用空白，且所提出的MEMS缝隙波导带通滤波器可以作为W波段表贴类元器件，通过和平面传输线的耦合，提高W波段系统的集成度，具有极高的工程应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 小型化 波段 mems 缝隙 波导 带通滤波器 | ||
【主权项】：
1.小型化W波段MEMS缝隙波导带通滤波器，其特征在于：包括顶层硅晶圆片(1)和底层硅晶圆片(2)，顶层硅晶圆片(1)和/或底层硅晶圆片(2)上用MEMS工艺刻蚀后电镀形成缝隙波导结构，缝隙波导结构内部形成级联耦合谐振腔，顶层硅晶圆片(1)和/或底层硅晶圆片(2)上还刻蚀有耦合窗。
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