[发明专利]基于背电极连接的CMOS图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810580543.3 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108878465A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张卫;王天宇;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型的背电极连接的CMOS图像传感器及其制备方法，利用背电极将光电探测器和信号处理器垂直连接，取代传统的基于TSV技术的3D堆叠，不需要单独为信号处理器提供额外的水平区域，从而实现高密度的3D堆叠结构，使得每个像素点拥有独立的信号处理器，同时实现高空间分辨率和帧速率。 | ||
| 搜索关键词： | 信号处理器 背电极 制备 高空间分辨率 光电探测器 垂直连接 堆叠结构 水平区域 传统的 像素点 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种基于背电极连接的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：用于光电探测的第一层MOSFET；用于信号处理的第二层MOSFET；所述第一层MOSFET的源极区域背面形成有接触孔结构的背面电极；所述第二层MOSFET的源极区域形成有正面电极；所述第一层MOSFET的源极区域的背面电极与所述第二层MOSFET源极区域的正面电极相互连接，实现垂直堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
