[发明专利]一种MoTe2

摘要

本发明涉及一种离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管及其制备方法和应用。所述离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管，其特征在于，包括：一复合基底，由下层Si层和上层SiO2层复合组成；一MoTe2纳米片，位于SiO2层表面；一源极，位于MoTe2纳米片表面；一漏极，位于MoTe2纳米片表面；一栅极，位于SiO2层表面；一离子胶体层，覆盖于MoTe2纳米片、源极、漏极及栅极。本发明用机械剥离方法，获取MoTe2纳米片并转移到硅/氧化硅衬底上，通过电子束曝光、热蒸镀金电极、转移离子胶体等工艺获得离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管。本发明所获得MoTe2场效应晶体管为N型，其开关比高，开启电流可达微安级别。同时本发明所述方法制备工艺简单，可用于半导体器件制备相关领域。

主权项

1.一种离子胶体门控制的MoTe2场效应晶体管，其特征在于，包括：一复合基底，由下层Si层和上层SiO2层复合组成；一MoTe2纳米片，位于SiO2层表面；一源极，位于MoTe2纳米片表面；一漏极，位于MoTe2纳米片表面；一栅极，位于SiO2层表面；一离子胶体层，覆盖于MoTe2纳米片、源极、漏极及栅极。