[发明专利]导电插塞及其形成方法、集成电路有效
| 申请号： | 201810578027.7 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571189B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及导电插塞及其形成方法、集成电路，在导电插塞的形成方法中，首先在半导体基底上的第一绝缘层中形成第一接触孔并在其中填充满第一导电层，然后回刻蚀第一导电层使其仅填充部分第一接触孔，接着利用保护层填充满第一接触孔，保护层用于保护下方的第一导电层以避免后续工艺气体对第一导电层的腐蚀，保护层还可以使得第一导电层与上层的导电层或金属层形成良好的电性接触。本发明另外提供了利用上述方法形成的导电插塞以及包括所述导电插塞的集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 及其 形成 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有金属布线层及第一绝缘层，所述第一绝缘层中形成有贯穿所述第一绝缘层的第一接触孔，所述第一接触孔暴露出所述金属布线层；/n形成第一导电层，使所述第一导电层填充满所述第一接触孔；/n回刻蚀所述第一导电层，使得所述第一接触孔中剩余的第一导电层的上表面低于所述第一绝缘层的上表面；以及/n形成保护层，使所述保护层填充满所述第一接触孔。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
