[发明专利]一种半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201810573107.3 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN108550644B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 刘坤;黄爱青;孙飞;胡强;臧浩天 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 马海芳 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池及其制备方法,属于硅基薄膜太阳能电池领域。该半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池的结构包括依次连接的前电极、吸收体和背电极;其中,吸收体为PI1N1I2N2结构的半叠层吸收体,P为P型非晶硅层,I1为本征非晶硅层,N1为N1型非晶硅层,I2为本征微晶硅层,N2为N2型非晶硅层;其制备方法为,处理衬底层,根据结构,采用射频磁控溅射法依次沉积各层。该半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池采用半叠层PI1N1I2N2结构,有效避免传统叠层电池中隧穿结的重掺杂问题。在减薄叠层电池厚度的基础上,半叠层结构可以提高电池的内建电场强度、短路电流和转化效率。采用的磁控溅射方法,沉积过程高效、清洁、易于控制。 | ||
搜索关键词: | 硅基薄膜太阳能电池 叠层 吸收体 制备 叠层电池 非晶硅层 射频磁控溅射法 本征非晶硅层 本征微晶硅层 沉积各层 磁控溅射 叠层结构 短路电流 依次连接 转化效率 背电极 衬底层 前电极 隧穿结 重掺杂 减薄 内建 沉积 电池 清洁 | ||
【主权项】:
1.一种半叠层柔性硅基薄膜太阳能电池,其结构包括依次连接的前电极、吸收体和背电极;其特征在于,所述的吸收体为半叠层吸收体,其为半叠层PI1N1I2N2结构,其中,P层为P型非晶硅层,I1层为本征非晶硅层,N1层为N型非晶硅层,I2层为本征微晶硅层,N2层为N型非晶硅层;N1层的掺杂浓度为(1~5)×1016cm‑3,N2层的掺杂浓度为(1~5)×1019cm‑3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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