[发明专利]接触插塞、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810570151.9 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571188B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘少雄;钟伯琛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接触插塞、半导体器件及其制造方法，能够实现一种替代接触插塞的制造，能够在填充层的辅助下，将仅覆盖在所述待接触结构的待接触区域的上方的虚拟接触去除，以在虚拟接触的位置形成接触沟槽，并在接触沟槽的侧壁上形成介质侧墙，然后在所述介质侧墙所围的接触沟槽的空间中填充导电材料层，形成接触插塞，这种替代工艺能够降低接触插塞的形成难度，提高所形成的接触插塞的质量，且能够通过减小介质侧墙的厚度来增大形成的接触插塞的接触面积，减小接触电阻，适用于栅极、源漏区、体区等待接触结构上的接触插塞的制造，能够提高相应的接触插塞和半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触插塞的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供形成有待接触结构的半导体衬底；/n形成仅覆盖在所述待接触结构的待接触区域的虚拟接触；/n在所述半导体衬底表面上形成暴露出所述虚拟接触的顶部的填充层；/n去除所述虚拟接触，并在所述虚拟接触的位置形成接触沟槽；/n在所述接触沟槽的侧壁上形成介质侧墙；/n填充导电材料层于所述接触沟槽中，所述导电材料层覆盖所述介质侧墙的侧壁，且底部与所述待接触结构的待接触区域接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
