[发明专利]一种制作三维电极图形的辅助装置在审

专利信息
申请号: 201810569703.4 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN108726474A 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 林丙涛;梅松;江黎;王宾 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李海华
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种制作三维电极图形的辅助装置,包括阻挡板,在阻挡板上设有上下贯穿的通孔,在阻挡板下表面设有至少两个对准凸台;对准凸台与待加工晶片上设置的对准孔对应以用于插入该对准孔中;通孔的位置与待加工晶片上需图形化的位置对应,通孔的深度和横截面大小以满足金属粒子能够通过该通孔到达晶片需要图形化的区域。本发明图形精度更高且价格低廉,装配简单,装配工艺效率得以提高;此外,该掩模采用硅或石英基材加工,沉积于其上面的金属膜层可通过金属腐蚀液直接去除,非常方便重复使用,理论上可无限次重复使用。
搜索关键词: 通孔 阻挡板 辅助装置 加工晶片 三维电极 对准孔 图形化 凸台 对准 金属腐蚀液 金属粒子 金属膜层 上下贯穿 石英基材 装配工艺 下表面 晶片 掩模 沉积 去除 制作 装配 加工
【主权项】:
1.一种制作三维电极图形的辅助装置,其特征在于:包括阻挡板,在阻挡板上设有上下贯穿的通孔,在阻挡板下表面设有至少两个对准凸台;对准凸台与待加工晶片上设置的对准孔对应以用于插入该对准孔中;通孔的位置与待加工晶片上需图形化的位置对应,通孔的深度和横截面大小以满足金属粒子能够通过该通孔到达晶片需要图形化的区域。
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