[发明专利]具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201810567839.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108831922B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王荣华 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开一种可提高开关速度或极限截止频率的具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底、缓冲层、GaN沟道层及In |
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| 搜索关键词： | 具有 gaas gan 复合 沟道 hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底（1）、InxAlyGa1‑x‑yN缓冲层（2）、InxAlyGa1‑x‑yN沟道层（3）及InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4），在InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）边缘有隔离区（7），在隔离区（7）内的有源区有源电极（8）、漏电极（9）及有栅电极（10），其特征在于：所述栅电极（10）下方有从InxAlyGa1‑x‑yN势垒层（4）向下深及InxAlyGa1‑x‑yN沟道层（3）或InxAlyGa1‑x‑yN缓冲层（2）的纵向槽（5），在纵向槽（5）内由下至上依次有InmAlnGa1‑m‑nAs缓冲层（5‑1）、InmAlnGa1‑m‑nAs沟道层（5‑2）及InmAlnGa1‑m‑nAs势垒层（6），所述InmAlnGa1‑m‑nAs沟道层（5‑2）上表面与InxAlyGa1‑x‑yN沟道层（3）平齐。
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