[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810558856.9 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108731858B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张毅;薛世峰;李琳;贾朋;叶贵根;朱秀星 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 266580 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS压力传感器及其制作方法，所述传感器包括：多个应变感应区，所述应变感应区根据其磷离子注入浓度的不同，分为a、b、c三组，所述a组应变感应区包含应变感应区(101)，(102)，(103)和(104)；b组应变感应区包含应变感应区(105)，(106)，(107)和(108)；c组应变感应区包含应变感应区(109)和(110)。本发明的优点是：结构简单，具有量程大、灵敏度高、可靠性高等优点，制作方法方便，没有采用复杂的薄膜结构，只采用一种离子注入，简化了加工工艺，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 应变感应 制作 薄膜结构 传感器 磷离子 灵敏度 量程 离子 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，包括一个P型(111)双面抛光硅片及多个应变感应区，所述多个应变感应区设置于所述P型(111)双面抛光硅片的同一平面高度，所述应变感应区根据其磷离子注入浓度的不同，分为a、b、c三组，所述a组应变感应区包含第一应变感应区(101)，第二应变感应区(102)，第三应变感应区(103)和第四应变感应区(104)；b组应变感应区包含第五应变感应区(105)，第六应变感应区(106)，第七应变感应区(107)和第八应变感应区(108)；c组应变感应区包含第九应变感应区(109)和第十应变感应区(110)；其中，所述第一应变感应区(101)，第五应变感应区(105)，第九应变感应区(109)与水平线夹角为0度角；所述第三应变感应区(103)，第七应变感应区(107)，第十应变感应区(110)与水平线夹角为90度角；所述第四应变感应区(104)，第八应变感应区(108)与水平线夹角为45度角；所述第二应变感应区(102)，第六应变感应区(106)与水平线夹角为135度角。
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