[发明专利]在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201810554882.4 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556454B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王玮竹 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法，该方法包括：在硅基衬底表面生长氮化物成核层；在所述氮化物成核层表面生长氮化物缓冲层；以及在所述氮化物缓冲层的表面依次生长预定数量的由氮化物插入层和氮化物缓冲层构成的叠层，所述载气是包含至少两种气体的混合气体，在生长所述氮化物成核层和/或所述氮化物插入层的步骤中，调整所述载气中各气体的组分比例，以控制在所述成核层和/或氮化物插入层表面生成氮化物缓冲层的步骤中在所述氮化物缓冲层中产生的压应力。根据该申请，能够得到厚度较厚且晶体质量较高的氮化物外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 氮化物 外延 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.在硅基衬底上生长氮化物外延结构的方法，通过向反应腔通入反应物气体和用于承载该反应物气体的载气，在硅基衬底上生长氮化物外延结构，该方法包括：/n在硅基衬底表面生长氮化物成核层；/n在所述氮化物成核层表面生长氮化物缓冲层；以及/n在所述氮化物缓冲层的表面依次生长预定数量的由氮化物插入层和氮化物缓冲层构成的叠层，其中，在每一所述叠层中，氮化物缓冲层生长于氮化物插入层的表面，并且，上一叠层的氮化物插入层生长于下一叠层的氮化物缓冲层表面，/n所述载气是包含至少两种气体的混合气体，/n在生长所述氮化物成核层和/或所述氮化物插入层的步骤中，调整所述载气中各气体的组分比例，以控制在所述成核层和/或氮化物插入层表面生成氮化物缓冲层的步骤中在所述氮化物缓冲层中产生的压应力。/n
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