[发明专利]一种离子填充石墨相氮化碳纳米片的制备方法

摘要

本发明提供一种离子填充石墨相氮化碳纳米片的制备方法，该制备方法主要分为三步：(1)煅烧前驱物的制备，包括氮源的溶解分散、氮源与氯化氢结合生成前驱物以及前驱物的干燥；(2)前驱物的密封煅烧；(3)煅烧产物的后处理。该制备方法具有原料廉价易得、工艺简单、绿色环保、易于工业化生产等优点。通过本发明方法制备的离子填充g‑C3N4纳米片，相比于普通的g‑C3N4能量带隙更低，光生电荷对分离效率显著提高，在可见光下表现出了较好的光氧化去除NO性能，并且经过多次使用，依然能够保持原有的光催化活性，具有非常好的稳定性。

主权项

1.一种离子填充石墨相氮化碳纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、将分析纯氮源的固体粉末加入到80℃水浴加热的去离子水中，同时磁力搅拌加速溶解，待溶液澄清即氮源完全溶解分散后停止加热和搅拌，并自然冷却；步骤2、当步骤1得到的澄清溶液冷却至开始有白色晶体析出时，开启搅拌并向溶液中逐滴缓慢加入浓盐酸，得到混合溶液；步骤3、将步骤2得到的混合溶液80℃持续加热30min，然后转移至120℃的鼓风干燥箱中烘干24h，得到的白色晶体即为煅烧前驱物；步骤4、将步骤3得到的前驱物仔细研磨后装入密封的小型煅烧管内，以20℃/min的升温速率持续升温至520℃，并恒温锻烧4h，冷却后得到淡黄色固体粉末；步骤5、将步骤4得到的淡黄色粉末再次研磨后，依次用酒精和去离子水洗涤干净，并50℃低温烘干，得到的淡黄色固体粉末即为离子填充石墨相氮化碳纳米片。