[发明专利]4H-SiC在制备高压压砧中的应用在审
| 申请号： | 201810547469.5 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108760633A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王霖;张金波 | 申请（专利权）人： | 北京高压科学研究中心 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 100094 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。本发明将4H‑SiC用于制备高压压砧，进而用于高压下红外吸收光谱分析、高压下紫外‑可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。和现有技术相比，本发明的有益效果在于：利用光谱学方法表征材料在高压环境下的结构、性质时，使用4H‑SiC压砧可以弥补金刚石压砧的不足，甚至远远优于金刚石压砧。4H‑SiC作为高压加载材料一方面大大节约天然资源；另一方面与天然金刚石压砧相比较，使用廉价的人造4H‑SiC制作压砧可以大大促进高压科学研究广泛开展。 | ||
| 搜索关键词： | 压砧 光谱分析 制备 金刚石压砧 光谱学 天然金刚石 表征材料 高压环境 红外吸收 天然资源 加载 下拉 应用 科学研究 节约 吸收 制作 | ||
【主权项】：
1.一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。
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