[发明专利]Mn-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法在审
| 申请号： | 201810547267.0 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN109695020A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 菅原淳一;加守雄一 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C30/02;C22C32/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 课题在于提供抑制异常放电，并且可进行稳定成膜的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶及其制备方法。解决手段是一种溅射靶，其是在成分组成中含有Mn、W、Cu和O的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶，其中，相对密度为90%以上，并且电阻率为9×10‑4Ω·cm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射靶 制备 异常放电 电阻率 成膜 | ||
【主权项】：
1.溅射靶，其是在成分组成中含有Mn、W、Cu和O的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶，其中，相对密度为90%以上，并且电阻率为9×10‑4Ω·cm以下。
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