[发明专利]有序Si基Al1-x有效

专利信息
申请号: 201810542937.X 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN110556453B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 赵宇坤;陆书龙 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/32;B82Y40/00
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种有序Si基Al1‑xGaxN量子点的可控外延生长方法,包括步骤:S1、提供一Si衬底;S2、对Si衬底的表面进行纳米图形化处理,Si衬底的表面向内凹陷形成Si纳米柱阵列,并在Si纳米柱阵列之间的凹槽底部沉积形成抑制层;S3、采用分子束外延法在Si纳米柱阵列上依次叠层生长AlN缓冲层、第一GaN纳米柱、Al1‑xGaxN量子点结构、以及第二GaN纳米柱和/或Al1‑zGazN纳米柱;其中,0<x<1,0<z<1。根据本发明的可控外延生长方法一方面利用Si纳米柱阵列实现了Al1‑xGaxN量子点结构的选择性生长,增强对Si基量子点结构尺寸与分布的调控能力,另一方面以第一GaN纳米柱作为支撑,也可有利于释放外延应力,提高晶体质量。
搜索关键词: 有序 si al base sub
【主权项】:
1.一种有序Si基Al
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