[发明专利]一种具有交错叉指式排列的浅槽隔离结构横向半导体器件有效
| 申请号： | 201810537122.2 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108807541B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;陈虹廷;叶然;吴海波;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有交错叉指式浅槽隔离结构的横向半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区和三个浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区上还设有U形栅氧化层且所述栅氧化层的U形开口朝向漏端并且两端分别延伸至P型体区的上方和浅槽隔离区的上方，在栅氧化层的上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上表面分别设有漏极金属接触、源极金属接触和体区金属接触，其特征在于，所述的浅槽隔离区在漂移区内呈交错叉指式排列。本发明结构能够在击穿电压不变的基础上，获得较低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 交错 叉指式 排列 隔离 结构 横向 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有交错叉指式浅槽隔离结构的横向半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有高压N型区(2)，在高压N型区(2)的上方设有N型漂移区(3)和P型体区(4)，在N型漂移区(3)内设有N型漏区(5)、第一浅槽隔离区(6A)、第二浅槽隔离区(6B)和第三浅槽隔离区(6C)，在P型体区(4)内设有N型源区(7)和P型区(8)，在高压N型区(2)上还设有U形栅氧化层(9)且所述栅氧化层(9)的U形开口朝向漏端并且两端分别延伸至P型体区(4)的上方和第一浅槽隔离区(6A)、第三浅槽隔离区(6C)的上方，在栅氧化层(9)的上方设有多晶硅栅场板(10)，在N型漏区(5)、N型源区(7)和P型区(8)的上表面分别设有漏极金属接触(11)、源极金属接触(12)和体区金属接触(13)，其特征在于，所述的第一浅槽隔离区(6A)、第二浅槽隔离区(6B)和第三浅槽隔离区(6C)在漂移区(3)内呈交错叉指式排列，并且所述的第二浅槽隔离区(6B)在第一浅槽隔离区(6A)和第三浅槽隔离区(6C)的中间，所述的第一浅槽隔离区(6A)和第三浅槽隔离区(6C)距N型漏区(5)有一定距离且向源端延伸，所述的第二浅槽隔离区(6B)的一个边界紧靠N型漏区(5)且向源端延伸，另一个边界延伸进入第一浅槽隔离区(6A)和第三浅槽隔离区(6C)之间的区域。
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