[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810531161.1 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108493310B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，低温缓冲层、三维成核层和二维恢复层依次层叠在衬底上，未掺杂氮化镓层的第一表面铺设在二维恢复层上，未掺杂氮化镓的第二表面设有多个凹坑，每个凹坑呈倒圆锥状，多个凹坑间隔分布在未掺杂氮化镓层的第二表面上；N型半导体层的第一表面铺设在多个凹坑内和未掺杂氮化镓层的第二表面上，N型半导体层的第二表面为平面，有源层和P型半导体层依次层叠在N型半导体层的第二表面上，第二表面为与第一表面相反的表面。本发明可提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述低温缓冲层、所述三维成核层和所述二维恢复层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述未掺杂氮化镓层的第一表面铺设在所述二维恢复层上，所述未掺杂氮化镓的第二表面设有多个凹坑，每个所述凹坑呈倒圆锥状，所述多个凹坑间隔分布在所述未掺杂氮化镓层的第二表面上，所述未掺杂氮化镓层的第二表面为与所述未掺杂氮化镓层的第一表面相反的表面；所述N型半导体层的第一表面铺设在所述多个凹坑内和所述未掺杂氮化镓层的第二表面上，所述N型半导体层的第二表面为平面，所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述N型半导体层的第二表面上，所述N型半导体层的第二表面为与所述N型半导体层的第一表面相反的表面。
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