[发明专利]具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件在审
| 申请号： | 201810528736.4 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108933169A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | M.比纳;M.戴内泽;I.迪恩施托费尔;E.格里布尔;C.耶格;J.G.拉文;C.莱恩德茨;F.D.普菲尔施;A.菲利普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司;英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。 | ||
| 搜索关键词： | 负载端子 源区 传导负载电流 台面 功率半导体器件 半导体主体 配置 可控性 终止区 横向方向延伸 功率单元 横向方向 条纹配置 电连接 上限制 邻近 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件（1），包括：‑ 被配置成传导负载电流的有源区（1‑2）；‑ 围绕有源区（1‑2）的非有源终止区（1‑3）；‑ 半导体主体（10），其形成有源区（1‑2）和非有源终止区（1‑3）中的每一个的一部分；‑ 第一负载端子（11）和第二负载端子（12），其中该有源区（1‑2）被配置成在第一负载端子（11）和第二负载端子（12）之间传导负载电流；‑ 控制端子（13），被配置成接收用于控制负载电流的控制信号；‑ 至少一个功率单元（1‑1），其具有延伸到半导体主体（10）中并且沿着第一横向方向（X）彼此邻近布置的多个沟槽（14、15、16），其中‑多个沟槽（14、15、16）中的每一个包括沟槽电极（141、151、161），并且其中该沟槽（14、15、16）中的每一个具有沿着第二横向方向（Y）延伸到有源区（1‑2）中的条纹配置，其中所述至少一个功率单元（1‑1）中的每个的该多个沟槽（14、15、16）包括其沟槽电极（141）电连接至控制端子（13）的至少一个第一类型沟槽（14），以及至少一个第二类型沟槽（15、16），其沟槽电极（151、161）被电连接到与控制端子（13）的电位不同的电位或者是电浮置的，并且其中‑该沟槽（14、15、16）在空间上限制多个台面（17、18），该多个台面（17、18）包括电连接至有源区（1‑2）内的第一负载端子（11）并且被配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面（17），以及被配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面（18）；‑ 去耦结构（19），其被布置在所述至少一个第二类型台面（18）的至少一个内并且将至少一个第二类型台面（18）分成至少由有源区（1‑2）中的半导体主体（10）形成的第一区段（181）和至少由终止区（1‑3）中的半导体主体（10）形成的第二区段（182）。
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