[发明专利]芯片的制造方法在审
申请号: | 201810527430.7 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108987339A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 淀良彰;赵金艳;原田成规 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤:激光加工步骤,沿着分割预定线仅对芯片区域照射对于硅晶片具有透过性的波长的激光束,沿着芯片区域的分割预定线形成改质层,并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;以及分割步骤,对硅晶片赋予力而将硅晶片分割成各个芯片,在分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予力而将硅晶片分割成各个芯片。 | ||
搜索关键词: | 芯片 硅晶片 分割 分割预定线 芯片区域 改质层 制造 激光加工步骤 外周剩余区域 被加工物 激光束 透过性 波长 对板 赋予 加热 冷却 照射 | ||
【主权项】:
1.一种芯片的制造方法,从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的硅晶片制造出多个芯片,所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域,该芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台直接对硅晶片进行保持;激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,按照将对于硅晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的硅晶片的内部的方式沿着该分割预定线仅对硅晶片的该芯片区域照射该激光束,沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层,并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的加强部;搬出步骤,在实施了该激光加工步骤之后,将硅晶片从该保持工作台搬出;以及分割步骤,在实施了该搬出步骤之后,对硅晶片赋予力而将硅晶片分割成各个该芯片,在该分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予该力而将硅晶片分割成各个该芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造