[发明专利]一种降低MWT电池背面电极区隐裂的方法有效
| 申请号： | 201810522763.0 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108630767B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李质磊;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低MWT电池背面电极区隐裂的方法，在MWT电池背面电极的正极区的制备过程中，对正极区采用镂空和触角设计；镂空设计为在正极点印刷区的中部区域设置的多个非印刷区，触角设计为在正极点印刷区的边部区域设置的多个印刷区；在铝背场的制备过程中对铝背场与正极区重叠的区域采用镂空设计；铝背场镂空设计为在铝背场与正极区重叠区设置的多个非印刷区。正极区的镂空设计可以在保证组件焊接面积不变的条件下有效降低正极区的整体高度，触角设计可以在有效保证正极区和铝背场电流传输的条件下，降低重叠区的覆盖面积。铝背场重叠区的镂空设计可以在保证铝背场与正极区重叠区面积不变的情况下，降低重叠区的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 mwt 电池 背面 电极 区隐裂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低MWT电池背面电极区隐裂的方法，其特征在于，包括如下内容：（1）采用印刷方式制备MWT背面电极和铝背场；（2）MWT电池背面电极的正极区的制备方法：对正极区采用镂空和触角设计；镂空设计为在正极点印刷区的中部区域设置的多个非印刷区，触角设计为在正极点印刷区的边部区域设置的多个印刷区；（3）MWT电池铝背场的制备方法：对铝背场与正极区重叠的区域采用镂空设计；铝背场镂空设计为在铝背场与正极区的重叠区设置的多个非印刷区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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