[发明专利]使用氢等离子体进行原子层蚀刻的方法在审
| 申请号： | 201810521891.3 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108987271A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 财津优;小林伸好;小林明子;堀胜;堤隆嘉 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;乐洪咏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于通过干法蚀刻工艺蚀刻衬底上的目标层的方法包括至少一个蚀刻循环，其中蚀刻循环包括：在所述衬底上的所述目标层上使用反应性物质沉积碳卤化物膜；以及使用不含卤素的含氢蚀刻气体的等离子体蚀刻所述碳卤化物膜，所述等离子体单独地基本上不蚀刻所述目标层，从而在所述碳卤化物膜和所述目标层的边界区域生成作为蚀刻剂物质的卤化氢，由此蚀刻所述目标层在所述边界区域中的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 目标层 蚀刻 卤化物 边界区域 蚀刻循环 衬底 等离子体 等离子体蚀刻 干法蚀刻工艺 反应性物质 氢等离子体 蚀刻剂物质 蚀刻气体 单独地 卤化氢 原子层 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种通过包括至少一个蚀刻循环的干法蚀刻工艺来蚀刻衬底上的目标层的方法，其中蚀刻循环包括：(i)在所述衬底上的所述目标层上使用反应性物质沉积碳卤化物膜，其中所述碳卤化物膜和所述目标层彼此接触；以及(ii)(1)使用不含卤素的含氢蚀刻气体的等离子体蚀刻所述碳卤化物膜而不蚀刻所述目标层，所述等离子体单独地基本上不蚀刻所述目标层，从而(2)在所述碳卤化物膜和所述目标层的边界区域生成作为蚀刻剂物质的卤化氢，由此蚀刻所述目标层在所述边界区域中的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司，未经ASMIP控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810521891.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：扩展方法和扩展装置
- 下一篇：包括绝缘层的半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
