[发明专利]用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置有效
| 申请号： | 201810521197.1 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735570B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台。本发明的微波等离子体发生装置可实现高效、均匀性良好的SiC样品的氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振腔 微波等离子体发生装置 微纳结构 微孔 等离子体氧化 圆柱形腔体 含氧气体 外腔体 外腔 进气口 体内 金属 氧等离子体 入射波长 微孔阵列 均匀性 奇数倍 双耦合 载物台 折射率 波长 内壁 腔体 周壁 | ||
【主权项】：
1.一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，其特征在于，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是入射波长的奇数倍，所述圆柱形腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结构形成双耦合结构从而实现谐振增强和可调，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台，用于支撑SiC衬底。
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