[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810515766.1 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN109860275B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 彭成毅;卡洛斯·H·迪亚兹;蔡俊雄;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/167;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种半导体器件包括场效应晶体管(FET)。FET包括沟道区和设置为与沟道区相邻的源极/漏极区。FET还包括设置在沟道区上方的栅电极。FET是n型FET并且沟道区由Si制成。源极/漏极区包括含有Si |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括；沟道区和源极/漏极区，所述源极/漏极区设置为邻近所述沟道区；以及栅电极，设置在所述沟道区上方，其中：所述沟道区由Si制成，以及所述源极/漏极区包括外延层，其中，所述外延层包括掺杂有Ga的SiGe、掺杂有Ga的GeSn和掺杂有Ga的SiGeSn中的至少一种。
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