[发明专利]硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法和硅片

摘要

本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。

主权项

1.一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：/n步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除所述待处理硅衬底表面的氧化层；/n步骤S2、将预清洗后的所述待处理硅衬底进行烘烤；/n步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除所述铝靶材表面的氮化铝膜层；/n步骤S4、向所述工艺腔室内通入惰性气体，将所述惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的所述铝靶材，以在预清洗后的所述待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，所述惰性气体不与所述铝靶材发生反应；/n步骤S5、向所述工艺腔室内通入所述惰性气体和氮气，将所述惰性气体和所述氮气激发为等离子体后继续轰击所述铝靶材，以在所述步骤S4中获得的所述待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。/n