[发明专利]气隙式薄膜体声波谐振器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810503898.2 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109560789A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 崔桓准 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种气隙式薄膜体声波谐振器(FBAR)。该气隙式FBAR包括：衬底，其包括在其顶面中的空气间隙部分，形成在衬底上的下电极；形成在下电极上的压电层；以及形成在压电层上的上电极。这里，下电极包括与衬底中的空气间隙部分间隔开地形成的第一下电极和通过仅包围空气间隙部分的顶部的一部分地堆叠而形成在衬底上的与第一下电极分离的第二下电极，以形成空气间隙部分的非沉积区域。 | ||
| 搜索关键词： | 下电极 空气间隙 衬底 薄膜体声波谐振器 电极 气隙式 压电层 沉积区域 顶面 堆叠 隙式 包围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种气隙式薄膜体声波谐振器FBAR，包括：衬底，其包括在其顶面中的空气间隙部分；形成在所述衬底上的下电极；形成在所述下电极上的压电层；和形成在所述压电层上的上电极，其中所述下电极包括：与所述衬底中的所述空气间隙部分间隔开地形成的第一下电极；和通过仅包围所述空气间隙部分的顶部的一部分地沉积而形成在所述衬底上的与所述第一下电极分离并且包括所述空气间隙部分的非沉积区域的第二下电极。
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