[发明专利]一种MoS2/C复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810499955.4 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108597902A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 严学华;王静静;沙大巍;周辰;王琼;王东风;潘建梅;程晓农 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/36;H01G11/86;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MoS2/C纳米复合材料及其制备方法。称取碳纳米片加入到去离子水中，先搅拌30min、再超声30min使之均匀分散。加入MoO3和KSCN，持续磁力搅拌30min后转移至100mL反应釜中，在220℃下反应24h，使MoO3与KSCN反应完全生成MoS2并生长在碳纳米片上。反应结束后取出冷却至室温，用去离子水洗涤离心，并在真空干燥箱中干燥。本发明解决了MoS2单体比电容低和团聚问题。所得产品是一种结构稳定并具有良好电化学性能的纳米复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米复合材料 碳纳米片 制备 去离子水洗涤 电化学性能 真空干燥箱 磁力搅拌 结构稳定 复合材料 比电容 反应釜 超声 称取 水中 离子 冷却 取出 团聚 生长 | ||
【主权项】：
1.一种MoS2/C纳米复合材料，用作超级电容器电极材料，其特征在于：所述材料由二维MoS2纳米片和碳纳米片两种材料复合而成，具有2D/2D的形貌特征，复合材料以碳纳米片为基底，MoS2纳米片均匀生长在碳纳米片表面；所述MoS2/C纳米复合材料的电化学性能，在单体MoS2纳米片的基础上有显著的提升；在测试电压范围‑1～‑0.2V，扫描速度为10、50、100mV s‑1的CV循环测试中，MoS2/C纳米复合材料表现出优良的电化学性能；在10mV s‑1的扫描速率下，比容量达到50F g‑1。
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