[发明专利]闪存制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存制备方法，包括：提供一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层；去除所述存储区上方的氧化硅保护层以暴露出所述存储区上方的第一层多晶硅；在所述存储区上方的第一层多晶硅上以及所述逻辑区上方的氧化硅保护层上形成第二层多晶硅；去除部分所述多晶硅使得剩余的多晶硅达到所需高度；对所述逻辑区上剩余的多晶硅进行离子注入。形成的氧化硅保护层能轻松刻蚀去除，并且还可以减少刻蚀的时间，从而减少隧道氧化层的损失，增加闪存的存储功能。

主权项

1.一种闪存制备方法，其特征在于，包括：提供一具有逻辑区和存储区的衬底，所述存储区上形成有多个闪存栅极结构，每个所述闪存栅极结构包括隧道氧化层；在所述衬底以及多个闪存栅极结构上形成第一层多晶硅，所述存储区上方的第一层多晶硅中具有沟壑；采用硅酸乙酯在所述第一层多晶硅表面形成氧化硅保护层以至少填充所述第一层多晶硅中的沟壑；去除所述存储区上方的氧化硅保护层以暴露出所述存储区上方的第一层多晶硅；在所述存储区上方的第一层多晶硅上以及所述逻辑区上方的氧化硅保护层上形成第二层多晶硅以填充所述第一层多晶硅中的沟壑；去除部分所述第一层多晶硅和部分所述第二层多晶硅使得剩余的多晶硅达到所需高度；以及对所述逻辑区上剩余的多晶硅进行离子注入。