[发明专利]一种硅晶圆刻蚀工艺

摘要

本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种硅晶圆刻蚀工艺，该工艺采用了晶圆刻蚀仪，该晶圆刻蚀仪包括电机、转盘、壳体、激励线圈、晶圆固定模块和气体注入模块，电机安装在壳体的正上方；转盘安装在电机的电机轴上；激励线圈环绕在壳体的外圈；晶圆固定模块安装在转盘的下方，晶圆固定模块用于固定晶圆和通入干燥的热空气；气体注入模块安装在壳体的底部，气体注入模块用于向壳体内通入刻蚀气体。本发明主要用于批量对晶圆进行刻蚀，本工艺刻蚀的效率高，批量刻蚀速度快，对刻蚀气体方向可调节，刻蚀的精度高，刻蚀的更加均匀，提高产品的质量。

主权项

1.一种硅晶圆刻蚀工艺，其特征在于：该工艺采用了晶圆刻蚀仪，该晶圆刻蚀仪包括电机(1)、转盘(2)、壳体(3)、激励线圈(4)、晶圆固定模块(5)和气体注入模块(6)，所述的电机(1)安装在壳体(3)的正上方；所述的转盘(2)安装在电机(1)的电机轴上；所述的激励线圈(4)环绕在壳体(3)的外圈；所述的晶圆固定模块(5)安装在转盘(2)的下方，晶圆固定模块(5)用于固定晶圆和通入干燥的热空气；所述的气体注入模块(6)安装在壳体(3)的底部，气体注入模块(6)用于向壳体(3)内通入刻蚀气体；该晶圆刻蚀工艺包括如下步骤：步骤一:工作人员将晶圆放到晶圆固定模块(5)上；步骤二:步骤一中的晶圆固定好之后，将晶圆固定模块(5)安装到转盘(2)上，电机(1)启动，使晶圆固定模块(5)转动；步骤三:步骤二中的晶圆固定模块(5)开始转动后，从气体注入模块(6)通入刻蚀气体；步骤四:步骤三中气体通入到壳体(3)内部后，开启激励线圈(4)，将刻蚀气体激发成等离子体后在电场作用下对晶圆的待刻蚀面进行轰击刻蚀；步骤五:在步骤三中通入刻蚀气体的同时，通入干燥的热空气对晶圆进行加热。