[发明专利]基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用有效
| 申请号： | 201810491766.2 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110518067B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;张辉;张佩佩;郝荣晖;宋亮;于国浩;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用。所述基于沟道阵列的异质结场效应晶体管包括异质结以及与所述异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；所述晶体管还包括形成在所述异质结上的第三半导体，第三半导体能够将分布于其下方的二维电子气耗尽，在所述栅极下方的第三半导体中还形成有至少一第四半导体，并且第四半导体下方的二维电子气被保留而形成沟道。本发明提供的制作方法无需采用刻蚀技术，避免了刻蚀均匀性、重复性以及刻蚀损伤等问题；以H等离子处理或H扩散的方式处理P‑GaN，处理深度可控，不会对下层材料以及二维电子气造成损伤，保证了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沟道 阵列 异质结 场效应 晶体管 及其 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，包括异质结以及与所述异质结配合的源极、漏极和栅极，所述异质结中形成有二维电子气，所述源极与漏极通过所述二维电子气电连接；其特征在于：所述晶体管还包括形成在所述异质结上的第三半导体，所述第三半导体能够将分布于其下方的二维电子气耗尽，在所述栅极下方的第三半导体中还形成有至少一第四半导体，并且所述第四半导体下方的二维电子气被保留而形成沟道。/n
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