[发明专利]一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法有效
| 申请号： | 201810489873.1 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108716006B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 董玉明;夏世彬;赵爽;王光丽;蒋平平 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法，属于材料科学技术领域和光电催化制氢领域。本发明先通过简单的离子层吸附的方法，将硒化镉负载在氧化铟锡基底上，然后再通过光辅助电沉积的方法沉积助催化剂二硫化钼，从而制备出这种高效的复合光电阴极。本方法制备的硒化镉敏化的复合光电阴极制备方法简便、稳定性好、价格低廉，应用于工业生产中可大幅度节约成本，是一种有较大工业光电催化产氢前景的新型催化材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光电阴极 硒化镉 敏化 四氧化三钴 光电催化 复合 材料科学技术 沉积助催化剂 新型催化材料 二硫化钼 氧化铟锡 电沉积 光辅助 离子层 产氢 基底 吸附 制氢 节约 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光电阴极，其特征在于，以硒化镉为吸光物质，以四氧化三钴为空穴传导层；通过离子层吸附的方法，将硒化镉负载在四氧化三钴基底上，再通过光辅助电沉积的方法沉积一层二硫化钼作为助催化剂。/n
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