[发明专利]一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备和应用有效
| 申请号： | 201810489112.6 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108579724B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 秦冬冬;耿园园;段世芳;张平;刘文峰;邓湘舟 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | B01J23/22 | 分类号： | B01J23/22;B01J37/10;B01J37/08;C01B3/04 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 桂婷;裘晖 |
| 地址： | 510006 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备方法和应用。该方法首先通过溶胶‑凝胶法在透明导电基底上制备钒酸铋种子，然后用水热/溶剂热法在有形貌调控剂存在的情况下，借助高压釜来制备BiVO |
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| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 基底 生长 010 方向 钒酸铋 纳米 晶体 阵列 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列的方法，其特征在于主要包括以下步骤：首先，通过溶胶‑凝胶法在透明导电基底上制备钒酸铋种子，然后用水热/溶剂热法在有形貌调控剂乙腈或草酸存在的情况下，借助高压釜来制备BiVO4纳米管晶体阵列，最后将制得的BiVO4纳米管置于管式炉中高温退火即得到透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列。
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