[发明专利]一种QD-3D-QD发光层钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种QD‑3D‑QD发光层钙钛矿发光二极管，所述QD‑3D‑QD发光层为量子点钙钛矿‑三维钙钛矿‑量子点钙钛矿，简称为QD‑3D‑QD结构，所述发光层的制备过程为：先旋涂一层量子点钙钛矿层，再在其上旋涂一层三维有机无机杂化钙钛矿，接着在这两层上再旋涂一层量子点钙钛矿，本发明适用于目前常用的两种钙钛矿发光二极管基本器件结构，衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极，以及衬底阴极、电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层和阳极。

主权项

1.一种QD‑3D‑QD发光层钙钛矿发光二极管，该二极管为正型器件结构或反型器件结构，其特征在于：所述QD‑3D‑QD发光层钙钛矿为量子点钙钛矿薄膜、三维钙钛矿薄膜、量子点钙钛矿薄膜依次沉积在基板上后形成，正型器件结构包括由下到上设置的衬底(7)、阳极(6)、空穴传输层(5)、钙钛矿发光层、电子传输层(2)和阴极(1)；所述反型器件结构包括由下到上设置的衬底(7)、阴极(1)、电子传输层(2)、钙钛矿发光层、空穴传输层(5)和阳极(6)；所述钙钛矿发光层材料为具有ABX₃晶体结构的钙钛矿材料，其中A为有机胺基团或者铯离子；B为元素周期表第四主族金属；X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。