[发明专利]一种光刻返工过程中半导体表面处理方法

摘要

本发明提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法，包括如下步骤：1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构；2)去胶溶液去除待返工的光刻胶；3)等离子体辉光清理半导体结构表面；4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺；5)在薄膜层表面生长一层掩膜层；6)去除掩膜层；7)在薄膜层表面涂光刻胶。本发明通过在去除光刻胶并完成对半导体结构表面的清洗和干燥工艺后进行生长掩膜层的方法，以修复薄膜层的表面形貌，同时生长过程中一些等离子体可与薄膜层表面的悬键相结合，在去除掩膜层同时降低了表面悬键数量，减少由形貌不佳、悬键过多所造成的缺陷，提高光刻胶与薄膜层附着力，防止光刻胶脱落并提高图形精度，有效提高产出和良率。

主权项

1.一种光刻返工过程中半导体表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和附着在所述薄膜层上表面的待返工的光刻胶；2)采用去胶溶液清洗的方法去除待返工的光刻胶；3)采用等离子体辉光的方法清理经步骤2)处理后的半导体结构的表面；4)依次对经步骤3)处理后的半导体结构的表面进行清洗和干燥工艺；5)在经干燥工艺处理后的半导体结构的薄膜层表面生长一层掩膜层；6)利用干法刻蚀或者湿法腐蚀的方法将所长的掩膜层去除；7)在经步骤6)处理后的半导体结构的薄膜层表面涂覆光刻胶。