[发明专利]一种碳化硅晶片抛光温控的方法和装置在审
| 申请号： | 201810486589.9 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108500825A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林武庆;张洁;赖柏帆;陈文鹏 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/015 | 分类号： | B24B37/015;B24B37/11;B24B37/34;B24B49/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了碳化硅晶片抛光温控的方法和装置，碳化硅晶片抛光温控的方法包括：步骤S01，在抛光机抛头上设计孔径；步骤S02，将温度感测器放于所述的孔径内，连接抛光机台的电控程式，进行联结监控；步骤S03，对碳化硅晶片进行抛光处理。温控的装置包括主轴、抛头、温度感测器和O‑ring。本发明在抛光机的抛头上设计多孔径，使温度感测器可以直接安装在抛头上，透过与机台PLC连接，让在抛光过程中可以实时监控盘面温度，并可依照不同需要侦测的点做更改，达到抛光温度稳定，抛光过程的化学作用稳定，减少浆料洁净造成晶片表面刮伤，最终达到晶片无刮伤的表面需求。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶片 抛光 温控 温度感测器 方法和装置 抛光过程 抛光机 刮伤 机台 化学作用 晶片表面 抛光处理 抛光机台 实时监控 温度稳定 直接安装 电控 浆料 晶片 盘面 抛头 侦测 联结 洁净 监控 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶片抛光温控的方法，其特征在于，所述碳化硅晶片抛光温控的方法包括：步骤S01，在抛光机抛头上设计孔径；步骤S02，将温度感测器放于所述的孔径内，连接抛光机台的电控程式，进行联结监控；步骤S03，对碳化硅晶片进行抛光处理，实现抛光过程中实时监控盘面温度。
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