[发明专利]具有HKMG的MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有HKMG的MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、形成伪栅结构直至形成层间膜并平坦化；步骤二、形成第一光刻胶图形将PMOS的区域打开；步骤三、去除PMOS的区域中的伪多晶硅栅；步骤四、形成PMOS对应的第一功函数层；步骤五、形成第二光刻胶图形将NMOS的区域打开；步骤六、去除NMOS的区域中的第一功函数层和伪多晶硅栅；步骤七、形成NMOS对应的第二功函数层；步骤八、形成金属栅的金属材料层；步骤九、对金属材料层进行平坦化。本发明能很好的去除伪多晶硅栅，消除不同高度的伪多晶硅栅的刻蚀负载不同所带来的缺陷。

主权项

1.一种具有HKMG的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、MOS晶体管包括NMOS和PMOS，在半导体衬底表面形成伪栅结构，NMOS的源漏区，PMOS的源漏区，侧墙，接触孔刻蚀停止层和层间膜，所述伪栅结构由栅介质层和伪多晶硅栅叠加而成；采用化学机械研磨工艺对所述层间膜进行平坦化，所述化学机械研磨工艺将所述伪多晶硅栅的表面露出；步骤二、进行第一次光刻工艺形成第一光刻胶图形将所述NMOS的区域保护，将所述PMOS的区域打开；步骤三、去除所述PMOS的区域中的所述伪多晶硅栅，之后去除所述第一光刻胶图形；步骤四、形成第一功函数层，所述第一功函数层为PMOS的功函数层；步骤五、进行第二次光刻工艺形成第二光刻胶图形将所述PMOS的区域保护，将所述NMOS的区域打开；步骤六、去除所述NMOS的区域中的所述第一功函数层和所述伪多晶硅栅，之后去除所述第二光刻胶图形；步骤七、形成第二功函数层，所述第二功函数层为NMOS的功函数层，在所述PMOS的区域中，所述第二功函数层叠加在所述第一功函数层的表面；步骤八、形成金属栅的金属材料层；步骤九、采用化学机械研磨工艺对所述所述金属材料层进行平坦化形成由填充于所述伪多晶硅栅去除区域的所述金属材料层组成的所述金属栅；所述PMOS的HKMG包括由所述栅介质层、所述第一功函数层、所述第二功函数层和所述金属栅叠加而成的结构；所述NMOS的HKMG包括由所述栅介质层、所述第二功函数层和所述金属栅叠加而成的结构。