[发明专利]一种非闪烁量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 201810482250.1 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108559483B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 申怀彬;李林松 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 475000*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体功能材料技术领域，特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5～80℃，使壳层源各组分在高温条件下反应，促进壳层源各离子的相互渗透，消除壳层晶体内部的缺陷，进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料，避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化；同时，本发明还通过壳层源添加方式的设置，避免壳层源的各组分单独成核，进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90～100％，属于典型的非闪烁量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 壳层 量子点 非闪烁 富集 制备 半导体功能材料 高温条件 核壳结构 源添加 生长 成核 核体 亮态 离子 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种非闪烁量子点的制备方法，包括如下步骤：/n(1)将核体与有机溶剂混合，得到核体溶液；/n(2)在无氧条件下，将壳层源的分散液滴加至所述步骤(1)核体溶液中，在所述核体表面原位生长壳层，得到非闪烁量子点；/n所述壳层源包括锌源和硒源；/n所述壳层源的分散液滴加速度为1~60mL/h；/n所述壳层的生长温度比核体的生长温度高5~80℃；所述壳层的生长时间为1~5h；/n所述步骤(1)中核体的化学组成选自CdSe，Cd
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