[发明专利]使用光掩膜衬底形貌的EUV图案化

摘要

本发明涉及使用光掩膜衬底形貌的EUV图案化，揭露一种光掩膜包括具有顶部表面的衬底。在该衬底的该顶部表面上形成形貌特征。该形貌特征可为产生于该衬底的该顶部表面上的凸块或凹坑。在该形貌特征上方的该衬底的该顶部表面上形成反射体。该形貌特征翘曲该反射体，以在该反射体所反射的光中生成相位及/或振幅梯度。在该反射体上图案化吸收体，以定义阻剂材料的光刻图案。在利用极紫外(EUV)光光刻该阻剂材料期间，该反射体所反射的光中的该梯度产生阴影区。

主权项

1.一种光掩膜，包括：衬底，具有顶部表面；形貌特征，形成于该衬底的该顶部表面上；反射体，位于该形貌特征上方的该衬底的该顶部表面上，该反射体被该衬底的该顶部表面上的该形貌特征翘曲；以及吸收体，图案化于该反射体上，以定义阻剂材料的光刻图案，其中，该反射体中的该翘曲在该反射体所反射的光的相位及振幅的至少其中一项生成梯度，以在利用极紫外(EUV)光光刻该阻剂材料期间产生阴影区。